Доступно о экономике
В начале XX в. в США возник институционализм, виднейшими представителями которого выступили Торстейн Веблен, Джон Коммонс, Уэсли Митчелл… [Читать Далее]
Инвестиционная деятельность является необходимым фактором, во многом определяющим динамику и структуру экономики, социально-экономическое развитие страны… [Читать Далее]
Рынок как экономический механизм формировался на протяжении тысячелетий, в течение которых менялось и содержание самого понятия… [Читать Далее]
Copyright © 2024 - All Rights Reserved - www.welleconomics.ru
Расчет надежности схемы
Данное устройство содержит большое количество элементов и соединений, которые потенциально могут оказаться причиной отказа всего устройства в целом. Поэтому необходимо рассчитать надежность устройства, учитывая все эти элементы. Для удобства расчетов все эти элементы сведены в таблицу.
Таблица
№
п/п
Элементы схемы, подлежащие расчету
Количество, шт.
Значение интенсивности отказов l, 1/ч
1
Германиевые транзисторы
2
0,6·10-6
2
Интегральные микросхемы
1
2,5·10-6
3
Керамические монолитные конденсаторы
9
0,44·10-6
4
Контактные площадки
178
0,02·10-6
5
Кремниевые диоды
2
2,5·10-6
6
Кремниевые транзисторы
7
0,3·10-6
7
Металлодиэлектрические резисторы
30
0,04·10-6
8
Отверстия
197
0,0001·10-6
9
Пайки
178
1·10-6
10
Переменные пленочные резисторы
3
4·10-6
11
Печатная плата
1
0,0005·10-8
12
Пленочные подстроечные резисторы
1
2·10-6
13
Проводники
68
0,005·10-6
14
Разъемы
2
2,5·10-6
15
Электролитические конденсаторы
14
1,1·10-6
Интенсивность отказов всей схемы можно рассчитать по формуле:
L=åln·Nn
где - L - интенсивность отказов всей схемы.
ln - интенсивность отказов элементов схемы.
N - количество элементов схемы.
L=l1·N1+l2·N2+l3·N3+l4·N4+l5·N5+l6·N6+l7·N7+l8·N8+l9·N9+l10·N10+l11·N11+l12··N12+l13·N13+l14·N14+l15·N15=0,6·10-6·2+2,5·10-6·1+0,44·10-6·9+0,02·10-6·178+ +2,5·10-6·2+0,3·10-6·7+0,04·10-6·30+0,0001·10-6·193+1·10-6·178+4·10-6·3+ +0,0005·10-8·1+2·10-6·1+0,005·10-6·68+2,5·10-6·2+1,1·10-6·14=1,2+2,5+3,96+3,56+5+ +2,1+1,2+0,0193+178+12+0,000005+2+0,34+5+15,4=232,279305·10-6 1/ч.
где l1 - интенсивность отказов германиевых транзисторов
N1 - количество германиевых транзисторов
l2 - интенсивность отказов интегральных микросхем
N2 - количество интегральных микросхем
l3 - интенсивность отказов керамических монолитных конденсаторов
N3 - количество керамических монолитных конденсаторов